Выберите полупроводниковые диоды которые работают в режиме электрического пробоя
- Главная Все тесты
- Поиск По тестам
- Контакты Обратная связь
- Сборник ТЕСТОВ />
- IT и компьютеры />
- Тесты по электронике и микропроцессорной техники с ответами
Тесты по электронике и микропроцессорной техники с ответами
Тесты по микропроцессорной технике и электронике
1. Тест. Твердое тело принято считать полупроводником, если разность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхнем уровнем валентной зоны:
2. Незанятое электроном энергетическое состояние в валентной зоне, обладающее положительным зарядом, называется:
3. В результате перемещения электронов проводимости образуется
4. Как зависит ток термоэлектронной эмиссии от температуры нагрева катода и работы выхода?
5. В результате перемещения дырок проводимости образуется:
6. Если в четырехвалентный германий добавить пятивалентный мышьяк, то такая примесь будет называться:
7. Введение в полупроводник атомов соответствующей примеси способствует
Электропроводность не изменяется
8. Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n–типа, а другая p–типа называется…
9. Можно ли получить p-n переход простым соприкосновением разных полупроводниковых тел?
10. Диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный называется…
11. Один p-n-переход и 2 омических контакта
12. Полупроводниковые диоды, работающие в режиме электрического пробоя:
Тесты по электронике с ответами.
13. Плоский электрический переход, линейные размеры которого, определяющие его площадь, значительно больше ширины р-n-перехода:
Тест — 14. Полупроводниковый прибор с двумя переходами и тремя и более выводами называется…
15. Не существует схемы включения биполярного транзистора.
С общим эмитером
С общим калибратором
16. Выход электронов за пределы поверхности вещества под действием излучения называется…
17. При каких условиях усилитель превращается в автогенератор:
При положительной обратной связи
При отрицательной обратной связи
При обратной связи равной 1
18. В каких единицах измеряются основные параметры усилителей?
19. Электронное устройство, с помощью которого осуществляется преобразование энергии постоянного тока в энергию переменного тока различной формы называется:
Усилителем постоянного тока
Выпрямителем переменного тока
Генератором электрических колебаний
20. Что такое триггер?
Импульсное устройство, имеющее два стойких состояния, в которых он может пребывать как угодно долго
Устройство, имеющее два стойких состояния, в которых он может пребывать как угодно долго
Импульсное устройство, имеющее два стойких состояния
21. Имеет один информационный вход, один вход синхронизации и два выхода: прямой и инверсный, также называется триггер с задержкой.
22. Цифровые устройства, построенные на основе триггеров и предназначенные для уменьшения частоты импульсов в целое количество раз, называются:
Число или символ, участвующие в машинной операции
Электронная схема для временного хранения двоичной информации (машинного слова)
Устройство выполняющее по командам несколько простейших операций
24. Число 22 в двоичной системе счисления:
25. Реализует логическую операцию умножения…
Логический элемент ИЛИ
Логический элемент И
Логический элемент НЕ
26. Краткосрочное отклонение физического процесса от установленного значения называется…
27. Устройство предназначенное для открытия или закрытия канала, передающего энергию называется…
28. Активными элементами называются…
Элементы, содержащие внутренние источники энергии
Элементы, в которых внутренние источники энергии отсутствуют
Элементы, вырабатывающие электрическую энергию
29. Ключ, имеющий нулевое сопротивление в замкнутом состоянии и бесконечно большое сопротивление в разомкнутом состоянии называется…
30. Тест. Устройство, предназначенное для сложения двоичных чисел называется…
Тест по дисциплине «Электронная техника»
Материал, не обладающий свойством электрической проводимости.
Выберите одно правильное название.
Как называются электроны, находящиеся на внешней оболочке атома?
Валентными .
Выберите одно правильное название.
В примесном полупроводнике типа-n основными носителями заряда являются …
Выберите одно верное определение.
Примесный полупроводника типа-p это …
Полупроводник, содержащий в своей кристаллической решетке V валентную примесь.
Полупроводник, содержащий в своей кристаллической решетке III валентную примесь.
Полупроводник, содержащий в своей кристаллической решетке IV валентную примесь.
Ответьте на вопрос, выбрав один правильный ответ.
Что такое электронно-дырочный переход (выберите из предложенного перечня одно правильное определение)?
Область, возникающая на границе двух сред, с различным типом электропроводности.
Это электрическое поле, препятствующее диффузионному перемещению основных носителей заряда.
Это процесс введения в полупроводник незначительного количества примеси, повышающей его электропроводность.
Выберите несколько названий, соответствующих представленному определению.
Если концентрация примеси в областях p-n перехода одинакова, а его высота больше его ширины, то такой переход называют …
Плоскостным.
Симметричным.
Завершите утверждение, выбрав один правильный перечень состояний.
P-n переход может находиться в …
Одном состоянии – равновесном.
Двух состояниях – равновесном и прямом включении.
Трех состояниях – равновесном, прямом и обратном.
Выберите одну правильную формулу для расчета тока.
Ток, протекающий через p-n переход при обратном включении, в соответствии с электронной теорией, равен …
Ip-n = — Iдр.
Выберите одно правильное название.
Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости p-n перехода при достижении обратным напряжением (током) критического для данного перехода значения называется …
Выберите несколько причин, влияющих на p-n переход.
Ширина p-n перехода зависит от …
Способа его включения.
Величины приложенного напряжения.
Типа p—n перехода.
Температуры окружающей среды.
Ширины потенциального барьера.
Выберите одно условие, согласно которому переход металл – полупроводник применяют на сверхвысоких частотах в связи с …
Использованием металла в структуре p-n перехода.
Малой инерциальностью неосновных носителей заряда.
Работой, которую необходимо совершить электронам для преодоления сил притяжения.
Выберите несколько приборов, относящихся к полупроводниковым диодам
Выпрямительный диод.
Стабилитрон.
Соотнесите название полупроводниковых диодов и их определения.
1. Выпрямительный диод
1. Диод на основе вырожденного полупроводника, в котором на прямой ветви ВАХ, наблюдается участок с отрицательной дифференциальной проводимостью.
2. Полупроводниковый прибор, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный.
3. Диоды, предназначенные для работы на частотах до 1000 МГц
4. Импульсный диод
4. Диод с малой длительностью переходных процессов и предназначенный для использования в импульсных режимах.
5. Высокочастотный диод
5. Кремниевый диод, работающий в режиме электрического пробоя и предназначенный для стабилизации напряжения.
6. Туннельный диод
6. Диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения.
Ответы: 1-2, 2-5, 3-6, 4-4, 5-3, 6-1.
Выберите один прибор, работающий в режиме электронного ключа
Импульсные диоды.
Каково численного значение Rпр (сопротивления прямому току) выпрямительного диода, если Iпр = 50 мА, Uпр = 1В (выберите один правильный ответ)?
Какой электрический параметр рассчитывается для варикапа (выберите один параметр)?
Выберите одно условное графическое обозначение, соответствующее туннельному диоду.
Выберите полупроводниковые диоды, которые работают в режиме электрического пробоя: 1. Импульсный диод 2. Стабилитрон
Как быстро выучить стихотворение наизусть? Запоминание стихов является стандартным заданием во многих школах.
Как научится читать по диагонали? Скорость чтения зависит от скорости восприятия каждого отдельного слова в тексте.
Как быстро и эффективно исправить почерк? Люди часто предполагают, что каллиграфия и почерк являются синонимами, но это не так.
Как научится говорить грамотно и правильно? Общение на хорошем, уверенном и естественном русском языке является достижимой целью.
Разновидности полупроводниковых диодов
3) Полупроводниковый прибор с одним электронно-дырочным переходом, имеющий два вывода.
4) Полупроводниковый прибор, пригодный для усиления сигналов.
2.Является ли наличие p-n перехода обязательным в полупроводниковом диоде?
1) Диод может не иметь p-n перехода.
2) Наличие одного p-n перехода обязательно.
3) Необходимо не менее двух переходов.
4) Диод может иметь или не иметь p-n переход.
3.Что такое выпрямительный диод?
1) Диод, имеющий два или более p-n переходов.
2) Диод, предназначенный для использования в устройствах преобразования переменного тока в постоянный.
3) Диод, не имеющий p-n перехода.
4) Диод, имеющий симметричную вольт — амперную характеристику.
4.Какова примерно концентрация подвижных носителей в выпрямительном диоде?
3) 1015 – 1017 1/см3
5.При каких значениях прямого напряжения обычно работают германиевые выпрямительные диоды?
6.При каких значениях прямого напряжения обычно работают кремниевые выпрямительные диоды?
7.Каких значений может достигать плотность прямого тока в германиевых плоскостных выпрямительных диодах?
8.Каково допустимое обратное напряжение в кремниевых выпрямительных диодах?
9.Какое допустимое обратное напряжение у германиевых плоскостных выпрямительных диодов?
10.Какой верхний предел рабочей температуры выпрямительных германиевых диодов?
11.Какой верхний предел рабочей температуры выпрямительных кремниевых диодов?
12.Как изменяется вольт -амперная характеристика германиевого выпрямительного диода при повышении температуры?
13.Как изменяется вольт- амперная характеристика кремниевого выпрямительного диода при повышении температуры?
14.Как изменяется обратная ветвь характеристики кремниевого диода с ростом температуры?
1) Обратный ток с ростом температуры уменьшается.
2) Обратный ток растет, но пробой наступает при большем обратном напряжении.
3) Обратная ветвь характеристики от температуры не зависит.
4) Обратный ток растет и пробивное напряжение уменьшается.
15.Как изменяется обратная ветвь характеристики германиевого диода с ростом температуры?
1) Обратный ток растет и пробой наступает при меньшем обратном напряжении.
2) Обратный ток уменьшается.
3) Обратная ветвь характеристики не изменяется.
4) Обратный ток растет, а пробой наступает при большем обратном напряжении.
16.Какой вид электрического пробоя типичен для германиевых диодов?
1) Лавинный пробой.
2) Туннельный пробой.
3) Оба вида пробоя равновероятны.
17.Какой вид электрического пробоя типичен для кремниевых диодов?
1) Лавинный пробой.
2) Туннельный пробой.
3) Оба вида пробоя равновероятны.
18.Какой нижний предел рабочей температуры германиевых выпрямительных диодов?
19.Что такое детекторный диод?
1) Диод с большой площадью p-n перехода.
2) Диод, работающий в режиме пробоя.
3) Диод, предназначенный для преобразования высокочастотного сигнала.
4) Диод, работающий на омическом участке прямой ветви.
20.Какие полупроводниковые диоды (плоскостные или точечные) могут работать на более высоких частотах?
1) Плоскостные диоды.
2) Точечные диоды.
3) Рабочая частота от типа перехода не зависит.
21.Для чего главным образом применяются точечные диоды?
1) Для выпрямления тока.
2) Для детектирования СВЧ сигналов.
3) Для стабилизации напряжения.
4) Для усиления слабых сигналов.
5) Для стабилизации тока.
22.Что такое полупроводниковый стабилитрон?
1) Полупроводниковый диод, работающий в режиме электрического пробоя на обратной ветви характеристики.
2) Диод, работающий на линейном участке прямой ветви.
3) Точечный диод, работающий при небольших прямых смещениях.
23.Какие полупроводниковые диоды работают в режиме пробоя?
24.Для чего применяются стабилитроны?
1) Для выпрямления переменного тока.
2) Для генерирования незатухающих колебаний.
3) Для поддержания постоянства напряжения в широких пределах изменения тока.
4) Для усиления слабых сигналов.
5) Для преобразования частоты.
25.При какой полярности напряжения работают стабилитроны?
1) При прямом напряжении.
2) При обратном напряжении.
3) При любой полярности.
26.Укажите обратную ветвь вольт- амперной характеристике стабилитрона?
27.Укажите схему включения стабилитрона.
28.Укажите характеристику стабилитрона, а также рабочую область (АВ).
29. Как изменится по абсолютной величине рабочее напряжение стабилитрона, предназначенного для стабилизации напряжения выше 7 В при повышении температуры?
30. В каких пределах лежат значения напряжений стабилизации?
31. Какой вид пробоя типичен для стабилитронов, имеющих напряжение стабилизации больше 7 В?
3) Оба вида пробоя одинаково вероятны.
32. Что такое варикап?
1) Диод с очень малой емкостью p-n перехода.
2) Диод, работающий в режиме пробоя.
3) Диод, в котором используется зависимость барьерной емкости перехода от значения обратного напряжения.
4) Диод с точечным контактом.
33. При каком смещении перехода (прямом или обратном) нормально используются варикапы?
1) При обратном смещении перехода.
2) При прямом смещении перехода.
3) При любом смещении перехода.
34. Укажите характеристику варикапа – кривую зависимость емкости от напряжения?
35.Что называется туннельным диодом?
1) Диод, имеющий на прямой ветви вольт – амперной характеристики участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
2) Диод, имеющий на обратной ветви вольт – амперной характеристики участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
3) Диод, работающий в режиме лавинного пробоя при больших обратных смещениях.
4) Правильного ответа нет.
36.У каких диодов концентрация подвижных носителей больше: у выпрямительных или туннельных?
1) У выпрямительных диодов.
2) У туннельных диодов.
3) Концентрация носителей примерно одинакова.
37.Какова примерно концентрация подвижных носителей в туннельном диоде?
38.Какова вольт – амперная характеристика туннельного диода?
39.Что такое обращенный диод?
1) Диод, у которого проводимость при обратном напряжении значительно больше, чем при прямом.
2) Диод, у которого проводимость при обратном напряжении значительно меньше, чем при прямом.
3) Диод, работающий в режиме лавинного пробоя при прямом смещении.
40.Укажите вольт — амперную характеристику обращенного диода.
Биполярные транзисторы.
1.Можно ли осуществить транзистор, соединив два p-n перехода по приведенной схеме?
2.Что называется эмиттером?
1) Область транзистора с большой концентрацией примеси.
2) Область транзистора, назначением которой является инжекция в базу неосновных носителей.
3) Область транзистора со стороны открытого перехода.
4) Область транзистора, назначением которой является экстракция из базы неосновных носителей.
3.Что называется коллектором?
1) Область транзистора со средней концентрацией примеси.
2) Область транзистора, назначением которой является инжекция в базу неосновных носителей.
3) Область транзистора со стороны закрытого перехода.
4) Область транзистора, назначением которой является экстракция из базы неосновных носителей.
4.Что больше: ток эмиттера или ток инжекции неосновных носителей в базу.
1) Ток инжекции больше.
2) Ток эмиттера больше.
3) Оба тока равны.
5.Какими носителями заряда (основными или неосновными) обусловлен обратный ток коллекторного перехода?
1) Основными носителями заряда в области базы.
2) Неосновными носителями заряда, имеющимися в области базы и в области коллектора.
3) Основными носителями заряда в области коллектора.
4) Правильного ответа нет.
6.Какой из переходов транзистора обычно имеет большую площадь?
1) Эмиттерный переход.
2) Коллекторный переход.
3) Оба перехода имеют одинаковую площадь.
7.Почему коэффициент передачи тока эмиттера меньше единицы?
1) Вследствие инжекции неосновных носителей из коллектора в базу.
2) Из-за большого сопротивления базы.
3) Вследствие рекомбинации в базе части неосновных носителей, инжектированных эмиттером, и поскольку эффективность эмиттера меньше единицы.
4) Вследствие расширения коллекторного перехода.
8.С какой целью обычно делают площадь коллекторного перехода существенно большей площади эмиттерного перехода?
1) С целью уменьшения диффузионного сопротивления базы.
2) С целью увеличения емкости коллекторного перехода.
3) С целью уменьшения сопротивления коллекторного перехода.
4) С целью уменьшения рекомбинации неосновных носителей в базе.
9.Может ли быть эффективность коллектора больше единицы?
2) Может быть за счет лавинного умножения в коллекторном переходе.
3) Может быть за счет большей площади коллекторного перехода.
4) Может быть при малых коллекторных напряжениях за счет малой высоты потенциального барьера коллекторного перехода.
10.Укажите определение эффективности эмиттера γ в транзисторе типа p-n-p в статическом режиме.
1) γ= 
2) γ= 
3) γ= 
4) γ= 
11.В какой из областей транзистора больше концентрация примеси: в области базы или в области эмиттера?
1) В области базы
2) В области эмиттера
3) Равное количество в обеих областях.
12.Почему концентрация примесей в базе намного меньше концентрации примеси в эмиттере?
1) Чтобы увеличить эффективность эмиттера.
2) Чтобы увеличить сопротивление базы.
3) Чтобы увеличить постоянную времени эмиттерной и коллекторной емкостей.
4) Чтобы уменьшить вероятность рекомбинации основных носителей в базе.
13.Может ли коэффициент передачи тока эмиттера быть больше единицы и почему?
1) Может из-за умножения тока неосновных носителей в эмиттерном переходе.
2) Может из-за лавинного умножения в коллекторном переходе.
3) Не может, так как часть неосновных носителей рекомбинирует в базе.
14.Укажите связь между коллекторным и эмиттерным токами в транзисторе при коллекторном переходе, смещенном в обратном направлении.
15.Чем ограничены значения коллекторного напряжения?
1) Напряжением пробоя коллекторного перехода.
2) Коэффициент переноса становится слишком большим.
3) Ширина коллекторного перехода в области коллектора становится слишком большой.
4) Коэффициент обратной связи достигает предельно допустимое значение.
16.Как зависит обратный ток коллектора Iкбо от температуры?
17.Какие носители (электроны или дырки) инжектируются в базу транзистора типа p-n-p?
3) Дырки и электроны. 
18.Что такое режим отсечки?
1) Коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный в обратном.
2) Коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный – в обратном.
3) Коллекторный и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении.
4) Коллекторный и эмиттерный переход смещены в обратном напрвлении.
19.При каком включении транзистора входное сопротивление усилительного каскада меньше?
1) При включении с общей базой.
2) При включении с нагрузкой по схеме с общим коллектором.
3) При включении с общим эмиттером.
4) При любом включении сопротивление одинаково.
20.Можно ли получить усиление тока при включении транзистора по схеме с общей базой?
2) При малых нагрузках в цепи коллектора можно, при больших нельзя.
21.Какая из схем включения транзистора обеспечивает максимальное усиление мощности?
1) Схема с общей базой.
2) Схема с общим эмиттером.
3) Схема с общим коллектором.
4) Во всех схемах усиление мощности одинаково.
22.Можно ли получить усиление по напряжению при включении транзистора по схеме с общим коллектором?
3) Можно только при больших сопротивлениях нагрузки.
23.В какой схеме включения транзистора можно получить усиление тока?
1) В схеме с общей базой.
2) В схемах с общим эмиттером и общим коллектором.
3) В схемах с общим эмиттером и общей базой.
4) В схемах с общим коллектором и общей базой.
24.Что такое режим насыщения транзистора?
1) Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении.
2) Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном.
3) Эмиттерный переход смещен в обратном направлении, а коллекторный – в прямом.
4) Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении.
Полевые транзисторы.
25.В каком направлении смещен электронно-дырочный переход транзистора?
1) В обратном направлении.
2) В прямом направлении.
3) В любом из двух направлений.
4) Переход в равновесном состоянии.
26.Какой из выводов транзистора называется затвором?
1) Один из выводов, через который основные носители заряда входят в канал.
2) Один из выводов, через который основные носители выходят из канала.
3) Вывод от перехода транзистора.
27.Какой из выводов транзистора называется истоком?
1) Один из выводов, через который основные носители заряда входят в канал.
2) Один из выводов, через который основные носители заряда выходят из канала.
3) Вывод от перехода транзистора.
28.Движением каких носителей заряда обусловлен ток в транзисторе?
1) Движением неосновных носителей.
2) Движением основных носителей.
3) Движением основных и неосновных носителей.
4) Движением неосновных носителей при положительном напряжении и основных носителей при отрицательном напряжении сток-исток.
29.Что называется напряжением отсечки?
1) Напряжение сток-исток, при котором происходит перекрытие канала.
2) Напряжение затвор-исток, при котором происходит перекрытие канала при нулевом токе транзистора.
3) Напряжение сток-исток, при котором происходит перекрытие канала при нулевом токе транзистора.
4) Напряжение затвор-исток, при котором происходит перекрытие канала при ненулевом токе транзистора.
30.Какое напряжение носит название напряжения насыщения?
1) Напряжение сток-исток, при котором происходит перекрытие канала.
2) Напряжение затвор-исток, при котором происходит перекрытие канала при нулевом токе транзистора.
3) Напряжение сток-исток, при котором происходит перекрытие канала при нулевом токе транзистора.
4) Напряжение затвор-исток, при котором происходит перекрытие канала при ненулевом токе транзистора.
31.Как изменяется дрейфовая скорость и подвижность электронов в режиме насыщения с ростом напряжения сток-исток транзистора?
1) Дрейфовая скорость и подвижность электронов уменьшается.
2) Дрейфовая скорость достигает насыщения, подвижность электронов уменьшается.
3) Дрейфовая скорость и подвижность электронов увеличиваются.
4) Дрейфовая скорость увеличивается, подвижность электронов сохраняется неизменной.